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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
67
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
32
读取速度,GB/s
6.8
16.5
写入速度,GB/s
3.6
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2974
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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