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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
67
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
32
读取速度,GB/s
6.8
21.6
写入速度,GB/s
3.6
15.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3684
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
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