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AMD AE34G1601U1 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
67
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
31
读取速度,GB/s
6.8
17.1
写入速度,GB/s
3.6
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3409
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
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Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
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