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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
67
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
36
读取速度,GB/s
6.8
17.4
写入速度,GB/s
3.6
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3552
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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