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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
67
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
39
读取速度,GB/s
6.8
14.9
写入速度,GB/s
3.6
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3233
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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