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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
67
左右 -131% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
29
读取速度,GB/s
6.8
20.8
写入速度,GB/s
3.6
16.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3901
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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