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AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
67
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
30
读取速度,GB/s
6.8
17.0
写入速度,GB/s
3.6
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3255
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
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