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AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
67
76
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
76
读取速度,GB/s
6.8
15.1
写入速度,GB/s
3.6
7.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
1859
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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