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AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
67
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
36
读取速度,GB/s
6.8
14.2
写入速度,GB/s
3.6
11.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2462
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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