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AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre 0000 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Kllisre 0000 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Kllisre 0000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Kllisre 0000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
49
67
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.9
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre 0000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
49
读取速度,GB/s
6.8
10.9
写入速度,GB/s
3.6
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2220
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
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