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AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
67
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
37
读取速度,GB/s
6.8
14.7
写入速度,GB/s
3.6
11.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2698
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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