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AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
67
左右 -148% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
27
读取速度,GB/s
6.8
15.0
写入速度,GB/s
3.6
10.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2288
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
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Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
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