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AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
67
左右 -131% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
29
读取速度,GB/s
6.8
15.8
写入速度,GB/s
3.6
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2865
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
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