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AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
67
左右 -97% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
34
读取速度,GB/s
6.8
15.8
写入速度,GB/s
3.6
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2830
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
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