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AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
67
左右 -168% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
25
读取速度,GB/s
6.8
14.5
写入速度,GB/s
3.6
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2620
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
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