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AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
67
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
39
读取速度,GB/s
6.8
15.1
写入速度,GB/s
3.6
12.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3000
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
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