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AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
67
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
39
读取速度,GB/s
6.8
14.4
写入速度,GB/s
3.6
9.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
1966
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
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Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
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Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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