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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
67
左右 -205% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
22
读取速度,GB/s
6.8
15.9
写入速度,GB/s
3.6
9.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2611
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD AE34G1601U1 4GB
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Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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