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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
67
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
28
读取速度,GB/s
6.8
16.0
写入速度,GB/s
3.6
11.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2436
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
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