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AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
67
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
37
读取速度,GB/s
6.8
14.6
写入速度,GB/s
3.6
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2780
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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