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AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
67
101
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.0
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
101
读取速度,GB/s
6.8
14.2
写入速度,GB/s
3.6
7.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
1313
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
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Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
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