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AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
55
67
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
55
读取速度,GB/s
6.8
16.0
写入速度,GB/s
3.6
12.9
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2699
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
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Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
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Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
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