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AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
67
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
35
读取速度,GB/s
6.8
15.2
写入速度,GB/s
3.6
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2642
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
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