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AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
67
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
37
读取速度,GB/s
6.8
13.5
写入速度,GB/s
3.6
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2026
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology EXTREME DDR2 800+ 2GB
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