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AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
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AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
67
左右 -179% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
24
读取速度,GB/s
6.8
14.1
写入速度,GB/s
3.6
11.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2879
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
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