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AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
55
56
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
55
读取速度,GB/s
7.4
19.5
写入速度,GB/s
5.6
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2274
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
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