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AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Kingston KTD3KX-MIB 8GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
56
左右 -115% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.9
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
26
读取速度,GB/s
7.4
13.0
写入速度,GB/s
5.6
6.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
1931
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
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