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AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
比较
AMD AE34G2139U2 4GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
总分
AMD AE34G2139U2 4GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G2139U2 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
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更快的读取速度,GB/s
9.3
7.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
5.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
56
读取速度,GB/s
7.4
9.3
写入速度,GB/s
5.6
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1462
2200
AMD AE34G2139U2 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
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