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AMD R334G1339U2S 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
比较
AMD R334G1339U2S 4GB vs EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
总分
AMD R334G1339U2S 4GB
总分
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R334G1339U2S 4GB
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需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
4.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R334G1339U2S 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
9.0
17.3
写入速度,GB/s
4.8
12.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1726
2942
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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