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AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
81
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
81
读取速度,GB/s
6.3
13.0
写入速度,GB/s
5.2
6.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
1515
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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