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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
6.3
19.8
写入速度,GB/s
5.2
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3875
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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