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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 -170% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
27
读取速度,GB/s
6.3
14.8
写入速度,GB/s
5.2
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2955
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
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Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
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