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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
73
左右 -170% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
27
读取速度,GB/s
6.3
18.2
写入速度,GB/s
5.2
14.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3538
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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