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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
11.9
15.5
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3131
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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