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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
6.3
17.8
写入速度,GB/s
5.2
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3628
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 9905701-032.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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