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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
比较
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
总分
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
总分
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
38
读取速度,GB/s
15.5
14.6
写入速度,GB/s
9.3
10.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2402
2298
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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