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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
65
左右 48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
16
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
65
读取速度,GB/s
16.0
16.4
写入速度,GB/s
10.3
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2041
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
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