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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
比较
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
总分
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
总分
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
76
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
76
读取速度,GB/s
13.7
10.3
写入速度,GB/s
7.8
6.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2102
1260
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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