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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905630-033.A00G 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.7
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
5.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.7
11.5
写入速度,GB/s
7.5
5.4
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1956
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Kingston 9905630-033.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
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