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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
73
左右 -192% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
25
读取速度,GB/s
6.3
19.1
写入速度,GB/s
5.2
15.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3768
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston K531R8-ETB 4GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
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