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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
71
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
71
读取速度,GB/s
11.8
15.5
写入速度,GB/s
8.0
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
1986
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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