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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
10.4
16.4
写入速度,GB/s
7.8
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2919
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
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