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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

总分
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AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

总分
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Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

差异 规格 评论

差异

AMD R5316G1609U2K 8GB 需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 73
    左右 -161% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.2 left arrow 6.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.0 left arrow 5.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    73 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    6.3 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    5.2 left arrow 15.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1309 left arrow 3650

AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较

Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB RAM的比较

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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内存RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
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