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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
69
左右 -156% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.7
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
27
读取速度,GB/s
3,325.1
18.1
写入速度,GB/s
1,441.2
15.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3845
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965604-001.D00G 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
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