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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9965604-001.D00G 16GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
73
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
35
读取速度,GB/s
3,510.5
10.5
写入速度,GB/s
1,423.3
8.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2353
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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