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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
24
读取速度,GB/s
10.2
19.5
写入速度,GB/s
8.1
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3718
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
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