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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
49
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
24
读取速度,GB/s
10.2
19.5
写入速度,GB/s
8.1
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3718
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
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