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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
6.3
17.0
写入速度,GB/s
5.2
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3690
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
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