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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
3,405.2
15.9
写入速度,GB/s
2,622.0
12.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2817
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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