Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

总分
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

总分
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    27 left arrow 51
    左右 47% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    11.8 left arrow 9.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.1 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    27 left arrow 51
  • 读取速度,GB/s
    11.8 left arrow 9.9
  • 写入速度,GB/s
    7.3 left arrow 8.1
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2057 left arrow 2314
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RAM 1
RAM 2

最新比较