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Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
比较
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
45
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
45
读取速度,GB/s
11.9
12.3
写入速度,GB/s
7.9
8.0
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1979
1992
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB RAM的比较
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
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